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惊喜于人性的极限!英特尔首次发布了3纳米工艺

日期:2019-08-07  点击:   作者:365bet足球比  来源:英国365bet公司

惊喜于人性的极限!
英特尔首次发布了3纳米工艺
2017-09-1916:09:44来源:技术快作者:Q之前编辑文本:Q评论文字(0)
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近年来,英特尔新技术的步伐大幅下降。三星和台积电很自豪,不遵守惯例。节点名称非常随机。16 nm的优化称为12 nm,并在10/9/8 /7/6/5 nm同时推高。
这个版本的英特尔并不快,但听起来真的很混乱。毕竟,似乎没有动力。
在今天复杂的制造日,英特尔将其自己的10MHz工艺与台积电和三星进行了比较,并试图证明它是一款真正技术先进的10纳米工艺。
在未来,英特尔已经准备了许多优秀的卡片。不久将推出10纳米产品,7纳米基本上准备就绪,计划5纳米和3纳米。
从英特尔提供的路线图来看,5nm和3nm仍然处于研究的最前沿,如何实现完成,批量生产仍然未知,但无论如何这是英特尔对技术的追求硅半导体是坚定的向前走
为了达到5nm和3nm,英特尔还在进行许多技术前沿研究,例如:
-Nanowire晶体管:纳米线结构改善了沟道质量并进一步最小化晶体管门长度,这被认为是未来的技术选择。
-Material III-V:硅是MOSFET通道中常用的材料,但III-V材料(如砷化镓和磷化铟)可提高载流子迁移率并提供更高或更低的性能它提供。更低的电压和更低的有功功率。
-3D堆叠:硅晶片的3D堆叠有机会集成系统并在小范围内混合不同的技术。
- 高密度存储器:正在研究和开发各种不同的高密度存储器选项,包括易失性和非易失性存储技术。
- 密集互连:在微调过程中,小互连与小晶体管一样重要。
正在研究新材料和设计技术以支持高密度互连。
- 极紫外光刻(EUV):使用13。
5纳米波长。
由于目前的193纳米波长工具已达到微收缩极限,因此正在开发技术以实现进一步的小型化。
-Spintronics:超越CMOS的技术。如果CMOS不再能够小型化,则可以选择提供高密度和低功耗电路。
- 神经计算:不同的处理器设计和架构,执行一些计算功能,能效比目前的计算机高得多。
没有人知道摩尔定律的局限性。
有趣的是,台积电一年前宣布了5纳米和3纳米的计划,并表示3到400人在3纳米工作,但没有透露细节。
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